11月18日（月）から24日（日）の7日間、神戸大学深江キャンパスにて半導体素子の中性子照射耐性試験を行いました。

　我々N研ATLASグループは、2027年より始まる高輝度LHC ATLAS実験に向けて、ミューオン検出器読み出し回路の開発を行っています。高輝度LHC ATLAS実験では過酷な放射線環境下での回路運用が必要なため、候補となる回路上半導体素子への放射線照射を行うことでその耐性を測定し、採用素子の選定を進めています。今回実施した試験では、読み出し回路間の通信を担う光トランシーバへの中性子照射を行うことで放射線によるはじき出し損傷の影響が現れないかを調べました。その結果、対象素子に対する放射線によるはじき出し損傷の影響は運用上問題ないことが実証されました。
　なお、中性子照射を行うにあたり、神戸大学深江キャンパスにてタンデム静電加速器を利用させていただきました。お世話になった方々にこの場をお借りして御礼申し上げます。